型号及主要参数

厂家：FEI（美国）

型号：FEI-Scios 2 Hivac

主要参数：

离子束分辨小于3nm@30KV

电子束分辨率：workspace<1nm@15KV，workspace<1.6nm@15KV

样品XY方向移动范围不低于100nm，Z方向不低于50nm，可绕Z轴旋转任意角度倾斜角度T范围不小于-4°到70°。换样时间低于3.5分钟 1.聚焦离子束（FIB）

功能及用途：

利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电子显微镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。可应用的领域包括：IC芯片电路修改、Cross-Section截面分析、Probing Pad、FIB透射电镜样品制备、材料鉴定等领域。

制样流程

TEM样品

封装级别电路修改，利用 Plasma FIB 清除大面积的聚酰亚胺

堆叠芯片封装中的 TSV 微焊点

采用FIB-SEM技术对电极涂层每500nm逐层切除获取160张截面照片，然后重构电极三维微观结构。重构结构像素分辨率为500nm，分辨率较高，一般XCT技术分辨率为1μm左右。粘结剂和导电剂颗粒很小，无法分辨，因此将他们看成一个混合相(碳胶相)。

图中-电极涂层微观结构重构图：(a)钴酸锂电极截面，(b)石墨电极截面，(c)钴酸锂重构三维结构，(d石墨重构三维结构